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                半导体级晶体袁星生长炉  KX170MCZ-大连连城数控机器股份有金烈和水元波一愣限公司
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                半导体级晶体生长炉 KX170MCZ

                半导体级晶体生长炉  KX170MCZ-大连连城数控机卻也自保有余器股份有限公司

                • 最优化的3-6英寸CZ单晶生长方案
                • 领先的▓全数字控制系统
                • 先进的热场设㊣计

                半导体级晶体生长炉  KX170MCZ
                Performance  性能
                  Typical Ingot Diameter 单晶直径   150-230 mm (6-10 in)
                  Pull Chamber Height  副室高度   2108 mm (83 in)
                  Throat Diameter 喉口直径   305 mm (12 in)
                  Seed Lift Rate 晶升速率    0-508 mm/hr
                  Seed Jog Speed (Nominal)  籽晶快╳速提升速率(最大)   508 mm/min
                  Total Crucible Travel 坩锅最大行◤程   500 mm (19.6 in )
                  Crucible Lift Rate 坩锅提升速▽率   0-254 mm/hr
                  Crucible Jog Speed (Nominal)  坩锅△快速提升速率(最大)   50.8 mm/min
                  Seed Rotation (Reversible) 籽●晶旋转速率(可逆)   0-50 rpm
                  Crucible Rotation (Reversible)  坩锅旋转速@率(可逆)   0-20 rpm
                  CUPS 主真空泵   1000 Gs

                Silicon Charge Capacity硅投料量
                  *Hot Zones available to fit following crucible sizes 热场尺寸取决于坩锅直径
                  **Charges can be enhanced with Xtramelt? Feeder 使用 Xtramelt? 二次加料系冷笑聲统可提高装料量≡
                  Crucible Diameter*
                  坩埚直径
                  Crucible Height*
                  坩埚高度
                  Charge Size Cold Pack
                  冷装投◢料量
                  Enhanced Charge**
                  复投装料量
                  24.0 in   16.33 in   170 kg   210 kg
                  22.0 in   16.33 in   120 kg   150 kg

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